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MURD330T4G

MURD330T4G

僅供參考

型號 MURD330T4G
PNEDA編號 MURD330T4G
描述 DIODE GEN PURP 300V 3A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,628
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 10 - 一月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MURD330T4G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MURD330T4G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MURD330T4G, MURD330T4G數據表 (總頁數: 4, 大小: 109.97 KB)
PDFMURD330T4G數據表 封面
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MURD330T4G規格

制造商ON Semiconductor
系列SWITCHMODE™
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)300V
電流-平均整流(Io)3A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.15V @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 300V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 50V

電容@ Vr,F

550pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

Axial

供應商設備包裝

Axial

工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

470mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 40V

電容@ Vr,F

43pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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SOD-123

工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 800V

電容@ Vr,F

20pF @ 12V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

200pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-214AA (SMB)

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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