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MURS160HE3/52T

MURS160HE3/52T

僅供參考

型號 MURS160HE3/52T
PNEDA編號 MURS160HE3-52T
描述 DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,520
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 5 - 十一月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MURS160HE3/52T資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MURS160HE3/52T
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MURS160HE3/52T, MURS160HE3/52T數據表 (總頁數: 5, 大小: 86.51 KB)
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MURS160HE3/52T規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)75ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

9pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

Sub SMA

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

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Panasonic Electronic Components

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

490mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 40V

電容@ Vr,F

70pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 30V

電容@ Vr,F

125pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

940mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

2ns

當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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