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MURS260-E3/52T

MURS260-E3/52T

僅供參考

型號 MURS260-E3/52T
PNEDA編號 MURS260-E3-52T
描述 DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,452
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MURS260-E3/52T資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MURS260-E3/52T
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MURS260-E3/52T, MURS260-E3/52T數據表 (總頁數: 5, 大小: 92.72 KB)
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MURS260-E3/52T規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.45V @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)75ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

9pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

Sub SMA

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

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制造商

Diodes Incorporated

系列

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

90V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 90V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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制造商

Infineon Technologies

系列

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二極管類型

Silicon Carbide Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

10A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 10A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

240µA @ 1200V

電容@ Vr,F

580pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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175mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 80V

電容@ Vr,F

1.5pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 12A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

-

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