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MURS260HE3_A/I

MURS260HE3_A/I

僅供參考

型號 MURS260HE3_A/I
PNEDA編號 MURS260HE3_A-I
描述 DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,994
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MURS260HE3_A/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MURS260HE3_A/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MURS260HE3_A/I, MURS260HE3_A/I數據表 (總頁數: 5, 大小: 92.72 KB)
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MURS260HE3_A/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.45V @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)75ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-214AB (SMC)

工作溫度-結點

150°C (Max)

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOD123W

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

90V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

770mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

4.5µA @ 90V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-263AB

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

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制造商

Micro Commercial Co

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

工作溫度-結點

-50°C ~ 150°C

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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1200V

電流-平均整流(Io)

16A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3.93V @ 32A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

135ns

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 1.2kV

電容@ Vr,F

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