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MURS360S-M3/5BT

MURS360S-M3/5BT

僅供參考

型號 MURS360S-M3/5BT
PNEDA編號 MURS360S-M3-5BT
描述 DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,808
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MURS360S-M3/5BT資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MURS360S-M3/5BT
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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MURS360S-M3/5BT規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)75ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 30V

電容@ Vr,F

200pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

975mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-262-3

工作溫度-結點

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 6A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

60pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

R6, Axial

供應商設備包裝

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Powerex Inc.

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

2000V

電流-平均整流(Io)

1200A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.3V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4µs

當前-反向泄漏@ Vr

75mA @ 2000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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1000V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.6V @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

120ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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