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MURT20040R

MURT20040R

僅供參考

型號 MURT20040R
PNEDA編號 MURT20040R
描述 DIODE MODULE 400V 200A 3TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,164
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MURT20040R資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MURT20040R
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MURT20040R, MURT20040R數據表 (總頁數: 3, 大小: 727.78 KB)
PDFMURT20060R數據表 封面
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MURT20040R規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Anode
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)200A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.35V @ 100A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)90ns
當前-反向泄漏@ Vr25µA @ 50V
工作溫度-結點-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Three Tower
供應商設備包裝Three Tower

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15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.39V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

45ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 400V

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

安裝類型

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二極管配置

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

60A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

20mA @ 50V

工作溫度-結點

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安裝類型

Through Hole

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二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

720mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

550µA @ 100V

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

安裝類型

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

880mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 200V

工作溫度-結點

-40°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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1 Pair Common Cathode

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

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