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MURTA60060R

MURTA60060R

僅供參考

型號 MURTA60060R
PNEDA編號 MURTA60060R
描述 DIODE MODULE 600V 600A 3TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,104
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 26 - 十二月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MURTA60060R資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MURTA60060R
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
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MURTA60060R規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Anode
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)600A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 300A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)280ns
當前-反向泄漏@ Vr25µA @ 50V
工作溫度-結點-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Three Tower
供應商設備包裝Three Tower

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

460mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1.5mA @ 30V

工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

870mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

17A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.65V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

40µA @ 1200V

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 60V

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

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