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MV2N5114

MV2N5114

僅供參考

型號 MV2N5114
PNEDA編號 MV2N5114
描述 P CHANNEL JFET
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,964
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MV2N5114資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MV2N5114
類別半導體晶體管晶體管-JFET

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MV2N5114規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500
FET類型P-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)30V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)90mA @ 18V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID10V @ 1nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds25pF @ 15V
電阻-RDS(On)75 Ohms
功率-最大500mW
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-18 (TO-206AA)

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16mA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

50mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

300mV @ 100µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10.5pF @ 5V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

300mW

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

100µA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

1mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

600mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3.5pF @ 5V

電阻-RDS(On)

-

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

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電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

供應商設備包裝

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制造商

Vishay Siliconix

系列

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

25V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

4mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

500mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

350mW

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