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MX25L25673GZNI-08G

MX25L25673GZNI-08G

僅供參考

型號 MX25L25673GZNI-08G
PNEDA編號 MX25L25673GZNI-08G
描述 SERIAL NOR
制造商 Macronix
單價 請求報價
庫存 7,974
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 18 - 十一月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MX25L25673GZNI-08G資源

品牌 Macronix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MX25L25673GZNI-08G
類別半導體內存IC內存

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MX25L25673GZNI-08G規格

制造商Macronix
系列MXSMIO™
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小256Mb (32M x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率120MHz
寫周期-字,頁30µs, 750µs
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-WSON (6x5)

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

3µs

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-WDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

8-WSON (6x8)

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

16Kb (4K x 4)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

20-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

20-DIP

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內存類型

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內存格式

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內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

100ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

120ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

供應商設備包裝

28-TSOP

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

2Kb (256 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

8-PDIP

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