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MX25U6435EZNI-10G

MX25U6435EZNI-10G

僅供參考

型號 MX25U6435EZNI-10G
PNEDA編號 MX25U6435EZNI-10G
描述 IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON
制造商 Macronix
單價 請求報價
庫存 39,229
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 19 - 六月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MX25U6435EZNI-10G資源

品牌 Macronix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MX25U6435EZNI-10G
類別半導體內存IC內存
數據表
MX25U6435EZNI-10G, MX25U6435EZNI-10G數據表 (總頁數: 87, 大小: 3,134.07 KB)
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MX25U6435EZNI-10G規格

制造商Macronix
系列MX25xxx35/36 - MXSMIO™
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小64Mb (8M x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率104MHz
寫周期-字,頁300µs, 5ms
訪問時間-
電壓-供電1.65V ~ 2V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-WSON (6x5)

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系列

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內存類型

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內存格式

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技術

EPROM - OTP

內存大小

512Kb (32K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

64Mb (8M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O, QPI, DTR

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

800µs

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.1ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

100-LQFP (14x20)

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

9Mb (256K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.6ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

208-FPBGA (15x15)

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR

內存大小

1Gb (64M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

750ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

66-TSOP

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