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N01S830BAT22IT

N01S830BAT22IT

僅供參考

型號 N01S830BAT22IT
PNEDA編號 N01S830BAT22IT
描述 IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,624
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

N01S830BAT22IT資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號N01S830BAT22IT
類別半導體內存IC內存
數據表
N01S830BAT22IT, N01S830BAT22IT數據表 (總頁數: 13, 大小: 93.77 KB)
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N01S830BAT22IT規格

制造商ON Semiconductor
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率20MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

2Mb (128K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20µs

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

48-WFBGA (6x4)

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制造商

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系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, MoBL

內存大小

64Kb (4K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

100-TQFP (14x14)

AT28C010-15SC

Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

150ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

32-SOIC

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系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

64-LQFP

供應商設備包裝

64-TQFP (10x10)

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

2.4V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

44-TSOP II

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