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N01S830HAT22I

N01S830HAT22I

僅供參考

型號 N01S830HAT22I
PNEDA編號 N01S830HAT22I
描述 IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 10,860
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

N01S830HAT22I資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號N01S830HAT22I
類別半導體內存IC內存
數據表
N01S830HAT22I, N01S830HAT22I數據表 (總頁數: 13, 大小: 93.77 KB)
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N01S830HAT22I規格

制造商ON Semiconductor
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率20MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP

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內存類型

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內存格式

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內存大小

256b (16 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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-

內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

1Gb (64M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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Alliance Memory, Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR3L

內存大小

4Gb (512M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

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內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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