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N0601N-ZK-E1-AY

N0601N-ZK-E1-AY

僅供參考

型號 N0601N-ZK-E1-AY
PNEDA編號 N0601N-ZK-E1-AY
描述 MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
制造商 Renesas Electronics America
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庫存 8,964
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

N0601N-ZK-E1-AY資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號N0601N-ZK-E1-AY
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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N0601N-ZK-E1-AY規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs133nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7730pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1.5W (Ta), 156W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-263
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 2.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1055pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.17W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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包裝/箱

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.1nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

345pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.56W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

91A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2672pF @ 16V

FET功能

-

功耗(最大值)

115W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.3Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 240µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

570pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

63W (Tc)

工作溫度

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125W (Tc)

工作溫度

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