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N0603N-S23-AY

N0603N-S23-AY

僅供參考

型號 N0603N-S23-AY
PNEDA編號 N0603N-S23-AY
描述 MOSFET N-CH 60V 100A TO-262
制造商 Renesas Electronics America
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庫存 7,110
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

N0603N-S23-AY資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號N0603N-S23-AY
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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N0603N-S23-AY規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs133nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7730pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1.5W (Ta), 156W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-262
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

460W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-264-3

包裝/箱

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PMZB670UPE,315

Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

680mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

850mOhm @ 400mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.14nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

87pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

360mW (Ta), 2.7W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

DFN1006B-3

包裝/箱

3-XFDFN

HAT2165H-EL-E

Renesas Electronics America

制造商

Renesas Electronics America

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

55A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 27.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5180pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

30W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.1mOhm @ 76A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

99nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3171pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

99W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

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