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N25Q512A83G1241E

N25Q512A83G1241E

僅供參考

型號 N25Q512A83G1241E
PNEDA編號 N25Q512A83G1241E
描述 IC FLASH 512M SPI 24TPBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 4,716
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

N25Q512A83G1241E資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號N25Q512A83G1241E
類別半導體內存IC內存

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N25Q512A83G1241E規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小512Mb (128M x 4)
內存接口SPI
時鐘頻率108MHz
寫周期-字,頁8ms, 5ms
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱24-TBGA
供應商設備包裝24-T-PBGA (6x8)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

4ms

訪問時間

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電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

7.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR2

內存大小

1Gb (64M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

400ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

84-TFBGA

供應商設備包裝

84-FBGA (8x12.5)

M29W064FB70N3E

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

48-TSOP

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