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NAND01GR3B2BZA6E

NAND01GR3B2BZA6E

僅供參考

型號 NAND01GR3B2BZA6E
PNEDA編號 NAND01GR3B2BZA6E
描述 IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 3,510
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 27 - 二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NAND01GR3B2BZA6E資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NAND01GR3B2BZA6E
類別半導體內存IC內存
數據表
NAND01GR3B2BZA6E, NAND01GR3B2BZA6E數據表 (總頁數: 60, 大小: 1,335.5 KB)
PDFNAND01GR3B2CZA6E數據表 封面
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NAND01GR3B2BZA6E規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小1Gb (128M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁30ns
訪問時間30ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱63-TFBGA
供應商設備包裝63-VFBGA (9x11)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

20ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

144-TFBGA

供應商設備包裝

144-µBGA (18.5x11)

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

2Kb (128 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

250kHz

寫周期-字,頁

15ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

1.65V ~ 2.25V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-VFBGA

供應商設備包裝

48-VFBGA (8x9.5)

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

110ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

1.125Mb (64K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

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4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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