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NAND01GW3B2AN6E

NAND01GW3B2AN6E

僅供參考

型號 NAND01GW3B2AN6E
PNEDA編號 NAND01GW3B2AN6E
描述 IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 3,906
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 10 - 四月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NAND01GW3B2AN6E資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NAND01GW3B2AN6E
類別半導體內存IC內存
數據表
NAND01GW3B2AN6E, NAND01GW3B2AN6E數據表 (總頁數: 60, 大小: 1,335.5 KB)
PDFNAND01GR3B2CZA6E數據表 封面
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NAND01GW3B2AN6E規格

制造商STMicroelectronics
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小1Gb (128M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁30ns
訪問時間30ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝48-TSOP

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內存大小

72Mb (2M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

333MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20µs

訪問時間

70ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

FLASH - NAND

內存大小

64Gb (8G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

64Kb (4K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

150MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.8ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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