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NAND256W3A0AN6E

NAND256W3A0AN6E

僅供參考

型號 NAND256W3A0AN6E
PNEDA編號 NAND256W3A0AN6E
描述 IC FLASH 256M PARALLEL 48TSOP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 4,878
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NAND256W3A0AN6E資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NAND256W3A0AN6E
類別半導體內存IC內存
數據表
NAND256W3A0AN6E, NAND256W3A0AN6E數據表 (總頁數: 56, 大小: 882.74 KB)
PDFNAND512W3A2BN6F數據表 封面
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NAND256W3A0AN6E規格

制造商STMicroelectronics
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小256Mb (32M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁50ns
訪問時間50ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝48-TSOP

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

150ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

150MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.8ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

1Mb (64K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

4Kb (512 x 8, 256 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

6ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

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