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NAND256W3A0BZA6E

NAND256W3A0BZA6E

僅供參考

型號 NAND256W3A0BZA6E
PNEDA編號 NAND256W3A0BZA6E
描述 IC FLASH 256M PARALLEL 55VFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 8,802
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NAND256W3A0BZA6E資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NAND256W3A0BZA6E
類別半導體內存IC內存

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NAND256W3A0BZA6E規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小256Mb (32M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁50ns
訪問時間50ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱55-TFBGA
供應商設備包裝55-VFBGA (8x10)

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

32-TSOP I

CY7C25632KV18-450BZXI

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, QDR II+

內存大小

72Mb (4M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

450MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

供應商設備包裝

165-FBGA (13x15)

S25FL132K0XMFI041

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

32Mb (4M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-SOIC

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

8ms, 2.8ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-WFDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

8-WPDFN (8x6) (MLP8)

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-VFBGA

供應商設備包裝

54-VFBGA (8x8)

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