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NAND512R3A2SZA6F

NAND512R3A2SZA6F

僅供參考

型號 NAND512R3A2SZA6F
PNEDA編號 NAND512R3A2SZA6F
描述 IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,976
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 5 - 十一月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NAND512R3A2SZA6F資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NAND512R3A2SZA6F
類別半導體內存IC內存
數據表
NAND512R3A2SZA6F, NAND512R3A2SZA6F數據表 (總頁數: 52, 大小: 1,004.62 KB)
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NAND512R3A2SZA6F規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小512Mb (64M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁50ns
訪問時間50ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱63-TFBGA
供應商設備包裝63-VFBGA (9x11)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, QDR II+

內存大小

144Mb (8M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

550MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存接口

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時鐘頻率

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工作溫度

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制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

4Kb (512 x 8, 256 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

6ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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