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NCP5351DR2

NCP5351DR2

僅供參考

型號 NCP5351DR2
PNEDA編號 NCP5351DR2
描述 IC DRIVER MOSFET DUAL 4A 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,064
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NCP5351DR2資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NCP5351DR2
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
NCP5351DR2, NCP5351DR2數據表 (總頁數: 14, 大小: 189.05 KB)
PDFNCP5351DR2G數據表 封面
NCP5351DR2G數據表 頁面 2 NCP5351DR2G數據表 頁面 3 NCP5351DR2G數據表 頁面 4 NCP5351DR2G數據表 頁面 5 NCP5351DR2G數據表 頁面 6 NCP5351DR2G數據表 頁面 7 NCP5351DR2G數據表 頁面 8 NCP5351DR2G數據表 頁面 9 NCP5351DR2G數據表 頁面 10 NCP5351DR2G數據表 頁面 11

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NCP5351DR2規格

制造商ON Semiconductor
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Synchronous
驅動程序數量2
門類型N-Channel MOSFET
電壓-供電4.5V ~ 6.5V
邏輯電壓-VIL,VIH0.8V, 2V
電流-峰值輸出(源極,接收器)4A, 4A
輸入類型Inverting, Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)25V
上升/下降時間(典型值)8ns, 14ns
工作溫度-30°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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系列

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

9V ~ 14V

邏輯電壓-VIL,VIH

2.3V, -

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2A, 2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

118V

上升/下降時間(典型值)

570ns, 430ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

IGD515EI-34

Power Integrations

制造商

Power Integrations

系列

SCALE™-1

驅動配置

High-Side or Low-Side

頻道類型

Single

驅動程序數量

1

門類型

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

12V ~ 16V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.9V, 3.8V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

15A, 15A

輸入類型

-

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

40ns, 40ns

工作溫度

-40°C ~ 85°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

36-DIP Module, 24 Leads

供應商設備包裝

Module

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

3-Phase

驅動程序數量

6

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

250mA, 500mA

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

80ns, 35ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

28-SOIC

IRS21851STRPBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

驅動配置

High-Side

頻道類型

Single

驅動程序數量

1

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

4A, 4A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

15ns, 15ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

IR2301STR

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

5V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.9V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

200mA, 350mA

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

130ns, 50ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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