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NCV5106ADR2G

NCV5106ADR2G

僅供參考

型號 NCV5106ADR2G
PNEDA編號 NCV5106ADR2G
描述 IC MOSFET DVR HIGH VOLT 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,064
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NCV5106ADR2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NCV5106ADR2G
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
NCV5106ADR2G, NCV5106ADR2G數據表 (總頁數: 17, 大小: 104.97 KB)
PDFNCV5106ADR2G數據表 封面
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NCV5106ADR2G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Synchronous
驅動程序數量2
門類型IGBT, N-Channel MOSFET
電壓-供電10V ~ 20V
邏輯電壓-VIL,VIH0.8V, 2.3V
電流-峰值輸出(源極,接收器)250mA, 500mA
輸入類型Inverting, Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)600V
上升/下降時間(典型值)85ns, 35ns
工作溫度-40°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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電壓-供電

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邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.5A, 1.5A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

40ns, 30ns

工作溫度

-25°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

16-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

16-PDIP

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邏輯電壓-VIL,VIH

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電流-峰值輸出(源極,接收器)

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輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

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安裝類型

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

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電壓-供電

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邏輯電壓-VIL,VIH

3V, 8V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

3A, 3A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

120V

上升/下降時間(典型值)

8ns, 7ns

工作溫度

-40°C ~ 140°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Linear Technology/Analog Devices

系列

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

5V ~ 30V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

500mA, 500mA

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

56V

上升/下降時間(典型值)

130ns, 120ns

工作溫度

0°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

16-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

16-PDIP

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

3.3V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

6V, 9.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2A, 2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

500V

上升/下降時間(典型值)

25ns, 17ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

14-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

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