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NDBA170N06AT4H

NDBA170N06AT4H

僅供參考

型號 NDBA170N06AT4H
PNEDA編號 NDBA170N06AT4H
描述 MOSFET N-CH 60V 170A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,060
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NDBA170N06AT4H資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NDBA170N06AT4H
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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NDBA170N06AT4H規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)170A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.6V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs280nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds15800pF @ 20V
FET功能-
功耗(最大值)90W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D²PAK (TO-263)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.1nC @ 4.5V

Vgs(最大)

20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

495pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.75W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.7nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

752pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

6.25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.25W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.2mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 125µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

104nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3500pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

188W (Tc)

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