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NDF02N60ZH

NDF02N60ZH

僅供參考

型號 NDF02N60ZH
PNEDA編號 NDF02N60ZH
描述 MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220FP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,390
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NDF02N60ZH資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NDF02N60ZH
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NDF02N60ZH, NDF02N60ZH數據表 (總頁數: 10, 大小: 142.41 KB)
PDFNDF02N60ZH數據表 封面
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NDF02N60ZH規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.4A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.8Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 50µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs16nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds325pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)24W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220FP
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

259nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7015pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

290W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

供應商設備包裝

SOT-227

包裝/箱

SOT-227-4, miniBLOC

NTD20N06LG

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

48mOhm @ 10A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

990pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.36W (Ta), 60W (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Ta), 22A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

39mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

675pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.3W (Ta), 43W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

DPAK-3

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

400V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

550mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

7V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2200pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 42W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220-3F

包裝/箱

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