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NDF06N60ZH

NDF06N60ZH

僅供參考

型號 NDF06N60ZH
PNEDA編號 NDF06N60ZH
描述 MOSFET N-CH 600V 7.1A TO220FP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,614
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NDF06N60ZH資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NDF06N60ZH
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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NDF06N60ZH規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7.1A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.2Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs47nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1107pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)35W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220FP
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.2V, 2.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 1.5A, 2.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

870pF @ 4V

FET功能

-

功耗(最大值)

600mW (Ta)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

900mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

363pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

68W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

1200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.35Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

103nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

543W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 29A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

80nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7340pF @ 8V

FET功能

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功耗(最大值)

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