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NDP4050

NDP4050

僅供參考

型號 NDP4050
PNEDA編號 NDP4050
描述 MOSFET N-CH 50V 15A TO220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,946
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NDP4050資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NDP4050
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NDP4050, NDP4050數據表 (總頁數: 6, 大小: 66.97 KB)
PDFNDB4050數據表 封面
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NDP4050規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)50V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs100mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs17nC @ 10V
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds450pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-3
包裝/箱TO-220-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

66A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

860pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

93W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

400mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 50mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

28.5pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

440mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

39mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

890pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.2W (Ta), 45W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

846pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.5W (Ta), 27.7W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

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