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NDS8926

NDS8926

僅供參考

型號 NDS8926
PNEDA編號 NDS8926
描述 MOSFET DUAL N-CH 20V 8-SO
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $20.8430
100 ---------- $19.8660
250 ---------- $18.8890
500 ---------- $17.9120
750 ---------- $17.0978
1,000 ---------- $16.2836
庫存 39
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NDS8926資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NDS8926
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NDS8926, NDS8926數據表 (總頁數: 6, 大小: 63.16 KB)
PDFNDS8926數據表 封面
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NDS8926規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs35mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs30nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds760pF @ 10V
功率-最大900mW
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 6µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.7nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

480pF @ 15V

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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FET類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A, 4.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

630pF @ 10V

功率-最大

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.2mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 15µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1470pF @ 25V

功率-最大

41W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

790pF @ 12.5V

功率-最大

3.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SO

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.4nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

741pF @ 30V

功率-最大

2.1W

工作溫度

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