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NDS9952A

NDS9952A

僅供參考

型號 NDS9952A
PNEDA編號 NDS9952A
描述 MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 24,282
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NDS9952A資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NDS9952A
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NDS9952A, NDS9952A數據表 (總頁數: 10, 大小: 311.89 KB)
PDFNDS9952A數據表 封面
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NDS9952A規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.7A, 2.9A
Rds On(Max)@ Id,Vgs80mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.8V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds320pF @ 10V
功率-最大900mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 1.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

87pF @ 20V

功率-最大

320mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.1A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

460pF @ 15V

功率-最大

2.63W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

1000V (1kV)

電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

420mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

186nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5200pF @ 25V

功率-最大

390W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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SP3

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

46mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.6nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

195pF @ 20V

功率-最大

1.1W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

270mOhm @ 1.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

180pF @ 25V

功率-最大

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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