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NDT3055L

NDT3055L NDT3055L

僅供參考

型號 NDT3055L
PNEDA編號 NDT3055L
描述 MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 673,404
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NDT3055L資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NDT3055L
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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NDT3055L規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs100mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds345pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3W (Ta)
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-223-4
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA

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FET類型

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800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

530pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 7.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1730pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 37.5A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

75nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5635pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

532pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

113W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

88mOhm @ 15.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.7V @ 1.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

86nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3000pF @ 300V

FET功能

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功耗(最大值)

230W (Tc)

工作溫度

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