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NE3509M04-A

NE3509M04-A NE3509M04-A

僅供參考

型號 NE3509M04-A
PNEDA編號 NE3509M04-A
描述 FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI
制造商 CEL
單價 請求報價
庫存 3,060
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NE3509M04-A資源

品牌 CEL
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NE3509M04-A
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
NE3509M04-A, NE3509M04-A數據表 (總頁數: 10, 大小: 496.34 KB)
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NE3509M04-A規格

制造商CEL
系列-
晶體管類型HFET
頻率2GHz
增益17.5dB
電壓-測試2V
額定電流(安培)60mA
噪聲系數0.4dB
當前-測試10mA
功率-輸出11dBm
電壓-額定4V
包裝/箱SOT-343F
供應商設備包裝M04

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增益

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電壓-測試

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額定電流(安培)

10µA

噪聲系數

-

當前-測試

750mA

功率-輸出

110W

電壓-額定

65V

包裝/箱

2-Flatpack, Fin Leads

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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晶體管類型

LDMOS (Dual)

頻率

1.88GHz ~ 1.91GHz

增益

16dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

500mA

功率-輸出

24W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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增益

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噪聲系數

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當前-測試

50mA

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電壓-額定

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

STMicroelectronics

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

2GHz

增益

11dB

電壓-測試

13.6V

額定電流(安培)

5A

噪聲系數

-

當前-測試

150mA

功率-輸出

10W

電壓-額定

40V

包裝/箱

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12GHz

增益

12dB

電壓-測試

1.5V

額定電流(安培)

45mA

噪聲系數

0.5dB

當前-測試

10mA

功率-輸出

5dBm

電壓-額定

3V

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供應商設備包裝

77

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