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NE68119-A

NE68119-A

僅供參考

型號 NE68119-A
PNEDA編號 NE68119-A
描述 RF TRANS NPN 10V 7GHZ SOT523
制造商 CEL
單價 請求報價
庫存 3,348
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NE68119-A資源

品牌 CEL
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NE68119-A
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
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NE68119-A規格

制造商CEL
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)10V
頻率-過渡7GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.4dB @ 1GHz
增益10dB
功率-最大100mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 7mA, 3V
當前-集電極(Ic)(最大值)65mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-523
供應商設備包裝SOT-523

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CEL

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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7GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

增益

11.5dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SOT-23

BFP640H6327XTSA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

4.5V

頻率-過渡

40GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

增益

12.5dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 30mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-82A, SOT-343

供應商設備包裝

PG-SOT343-4

BFP720FESDH6327XTSA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

4.7V

頻率-過渡

45GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz

增益

10dB ~ 29dB

功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 15mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

頻率-過渡

400MHz ~ 500MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

9.7dB

功率-最大

1167W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 5A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

43.2A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

M102

供應商設備包裝

M102

MS1076C

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

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晶體管類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

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功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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