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NE68119-T1

NE68119-T1

僅供參考

型號 NE68119-T1
PNEDA編號 NE68119-T1
描述 RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3SMINMOLD
制造商 CEL
單價 請求報價
庫存 2,106
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 26 - 三月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NE68119-T1資源

品牌 CEL
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NE68119-T1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
NE68119-T1, NE68119-T1數據表 (總頁數: 9, 大小: 1,991.78 KB)
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NE68119-T1規格

制造商CEL
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)10V
頻率-過渡7GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.4dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz
增益10dB ~ 14dB
功率-最大100mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 7mA, 3V
當前-集電極(Ic)(最大值)65mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-523
供應商設備包裝3-SuperMiniMold (19)

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-

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz

增益

8.3dB

功率-最大

2W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 50mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

250mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-243AA

供應商設備包裝

-

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STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

7dB

功率-最大

58W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

2.5A

工作溫度

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安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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M122

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

8.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

22dB

功率-最大

450mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 15mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-82A, SOT-343

供應商設備包裝

PG-SOT343-4

BFR 705L3RH E6327

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

4.7V

頻率-過渡

39GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz

增益

25dB

功率-最大

40mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 7mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

10mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-101, SOT-883

供應商設備包裝

PG-TSLP-3

BFR 181 E6780

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

18.5dB

功率-最大

175mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 5mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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