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NE851M03-A

NE851M03-A

僅供參考

型號 NE851M03-A
PNEDA編號 NE851M03-A
描述 RF TRANS NPN 5.5V 4.5GHZ SOT363
制造商 CEL
單價 請求報價
庫存 2,052
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NE851M03-A資源

品牌 CEL
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NE851M03-A
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
NE851M03-A, NE851M03-A數據表 (總頁數: 10, 大小: 745.82 KB)
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NE851M03-A規格

制造商CEL
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)5.5V
頻率-過渡4.5GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
增益-
功率-最大200mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 5mA, 1V
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SOT-363

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

3dB @ 100MHz

增益

-

功率-最大

280mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

供應商設備包裝

PG-SOT323-3

BFR360FH6327XTSA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

9V

頻率-過渡

14GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB @ 1.8GHz

增益

15.5dB

功率-最大

210mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 15mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

頻率-過渡

1.025GHz ~ 1.15GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

9dB

功率-最大

87.5W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

2.6A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

M115

供應商設備包裝

M115

MS2392

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

頻率-過渡

470MHz ~ 860MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

9dB

功率-最大

135W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 3A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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