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NE85618-A

NE85618-A

僅供參考

型號 NE85618-A
PNEDA編號 NE85618-A
描述 RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT343
制造商 CEL
單價 請求報價
庫存 6,066
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NE85618-A資源

品牌 CEL
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NE85618-A
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
NE85618-A, NE85618-A數據表 (總頁數: 6, 大小: 1,095.94 KB)
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NE85618-A規格

制造商CEL
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡6.5GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.1dB @ 1GHz
增益13dB
功率-最大150mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce50 @ 20mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-82A, SOT-343
供應商設備包裝SOT-343

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

9.3dB

功率-最大

25W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 250mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

900mA

工作溫度

250°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

M222

供應商設備包裝

M222

KSC2756OMTF

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

頻率-過渡

850MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

6.5dB @ 200MHz

增益

15dB ~ 23dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 5mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SOT-23-3 (TO-236)

MCH4009-TL-H

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ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

3.5V

頻率-過渡

25GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 2GHz

增益

13.5dB

功率-最大

120mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 5mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-343F

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

頻率-過渡

1.6GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

45W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 2A, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB @ 500MHz

增益

-

功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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