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NE85619-T1-A

NE85619-T1-A

僅供參考

型號 NE85619-T1-A
PNEDA編號 NE85619-T1-A
描述 RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT523
制造商 CEL
單價 請求報價
庫存 7,686
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 31 - 四月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NE85619-T1-A資源

品牌 CEL
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NE85619-T1-A
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
NE85619-T1-A, NE85619-T1-A數據表 (總頁數: 9, 大小: 5,084.05 KB)
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NE85619-T1-A規格

制造商CEL
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡4.5GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.2dB @ 1GHz
增益9dB
功率-最大100mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 7mA, 3V
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-523
供應商設備包裝SOT-523

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

1.3GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

5dB @ 500MHz

增益

53dB

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 2mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

E-Line-3, Formed Leads

供應商設備包裝

E-Line (TO-92 compatible)

KSC1674COTA

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

頻率-過渡

600MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

增益

-

功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 1mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

頻率-過渡

1.2GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

12dB

功率-最大

2.5W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 50mA, 15V

當前-集電極(Ic)(最大值)

400mA

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

供應商設備包裝

TO-39

80275H

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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制造商

Microsemi Corporation

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

頻率-過渡

960MHz ~ 1.215GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

7dB ~ 8dB

功率-最大

175W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

55LT

供應商設備包裝

55LT

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