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NE856M03-A

NE856M03-A

僅供參考

型號 NE856M03-A
PNEDA編號 NE856M03-A
描述 RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ 3MINMOLD
制造商 CEL
單價 請求報價
庫存 6,030
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 8 - 二月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NE856M03-A資源

品牌 CEL
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NE856M03-A
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
NE856M03-A, NE856M03-A數據表 (總頁數: 4, 大小: 144.87 KB)
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NE856M03-A規格

制造商CEL
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡4.5GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.4dB ~ 2.5dB @ 1GHz
增益-
功率-最大125mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 7mA, 3V
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-623F
供應商設備包裝3-SuperMiniMold (M03)

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.8dB @ 1GHz

增益

12dB

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-23-3 Flat Leads

供應商設備包裝

3-MCPH

BFS 17P E8211

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

*

晶體管類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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制造商

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-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

5.5V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz

增益

11dB ~ 13dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 1mA, 2.7V

當前-集電極(Ic)(最大值)

16mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-253-4, TO-253AA

供應商設備包裝

SOT-143

MCH4014-TL-H

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

10GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

增益

18dB

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-343F

供應商設備包裝

4-MCPH

2N3663

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

2.1GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

6.5dB @ 60MHz

增益

1.5dB

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 8mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

TO-92-3

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