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NESG7030M04-A

NESG7030M04-A

僅供參考

型號 NESG7030M04-A
PNEDA編號 NESG7030M04-A
描述 RF TRANS NPN 4.3V 5.8GHZ M04
制造商 CEL
單價 請求報價
庫存 3,580
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 九月 30 - 十月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NESG7030M04-A資源

品牌 CEL
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NESG7030M04-A
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
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NESG7030M04-A規格

制造商CEL
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)4.3V
頻率-過渡5.8GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz
增益14dB ~ 21dB
功率-最大125mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 5mA, 2V
當前-集電極(Ic)(最大值)30mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-343F
供應商設備包裝M04

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

10dB

功率-最大

25W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 200mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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噪聲系數(dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

增益

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功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 1mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

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安裝類型

Through Hole

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

頻率-過渡

650MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 4mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

6V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

增益

8.5dB

功率-最大

125mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 10mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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