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NGB15N41CLT4

NGB15N41CLT4

僅供參考

型號 NGB15N41CLT4
PNEDA編號 NGB15N41CLT4
描述 IGBT 440V 15A 107W D2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,428
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NGB15N41CLT4資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NGB15N41CLT4
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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NGB15N41CLT4規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)440V
當前-集電極(Ic)(最大值)15A
電流-集電極脈沖(Icm)50A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.2V @ 4V, 10A
功率-最大107W
開關能量-
輸入類型Logic
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-/4µs
測試條件300V, 6.5A, 1kOhm
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK

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電流-集電極脈沖(Icm)

40A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

5V @ 15V, 11A

功率-最大

190W

開關能量

900µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

65nC

25°C時的Td(開/關)

36ns/160ns

測試條件

850V, 16A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

230ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

340A

電流-集電極脈沖(Icm)

900A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 100A

功率-最大

1630W

開關能量

3mJ (on), 1.7mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

315nC

25°C時的Td(開/關)

47ns/125ns

測試條件

360V, 100A, 1Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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ON Semiconductor

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650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

電流-集電極脈沖(Icm)

225A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 75A

功率-最大

375W

開關能量

2.85mJ (on), 1.2mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

385nC

25°C時的Td(開/關)

32ns/166ns

測試條件

400V, 75A, 3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

85ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247-3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電流-集電極脈沖(Icm)

90A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.65V @ 15V, 50A

功率-最大

312W

開關能量

4.1mJ (on), 960µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

200nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/190ns

測試條件

600V, 25A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

350ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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