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NGB18N40CLBT4

NGB18N40CLBT4

僅供參考

型號 NGB18N40CLBT4
PNEDA編號 NGB18N40CLBT4
描述 IGBT 430V 18A 115W D2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,496
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NGB18N40CLBT4資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NGB18N40CLBT4
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
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NGB18N40CLBT4規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)430V
當前-集電極(Ic)(最大值)18A
電流-集電極脈沖(Icm)50A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.5V @ 4V, 15A
功率-最大115W
開關能量-
輸入類型Logic
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK

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當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電流-集電極脈沖(Icm)

75A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.35V @ 15V, 25A

功率-最大

250W

開關能量

1.09mJ (on), 580µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

204nC

25°C時的Td(開/關)

24ns/502ns

測試條件

600V, 25A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20.3A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 17A

功率-最大

45W

開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

51nC

25°C時的Td(開/關)

42ns/230ns

測試條件

480V, 17A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

42ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

9A

電流-集電極脈沖(Icm)

18A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.62V @ 15V, 5A

功率-最大

38W

開關能量

160µJ (on), 100µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

19nC

25°C時的Td(開/關)

11ns/51ns

測試條件

480V, 5A, 100Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

16A

電流-集電極脈沖(Icm)

64A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 9A

功率-最大

60W

開關能量

250µJ (on), 640µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

27nC

25°C時的Td(開/關)

43ns/240ns

測試條件

480V, 9A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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