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NGB8206NG

NGB8206NG

僅供參考

型號 NGB8206NG
PNEDA編號 NGB8206NG
描述 IGBT 390V 20A 150W D2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,992
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NGB8206NG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NGB8206NG
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
NGB8206NG, NGB8206NG數據表 (總頁數: 8, 大小: 118.71 KB)
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NGB8206NG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)390V
當前-集電極(Ic)(最大值)20A
電流-集電極脈沖(Icm)50A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.9V @ 4.5V, 20A
功率-最大150W
開關能量-
輸入類型Logic
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-/5µs
測試條件300V, 9A, 1kOhm, 5V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK

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80A

電流-集電極脈沖(Icm)

320A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.35V @ 15V, 40A

功率-最大

260W

開關能量

1.4mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

420nC

25°C時的Td(開/關)

-/360ns

測試條件

600V, 40A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

29A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.75V @ 15V, 10A

功率-最大

80W

開關能量

600µJ (on), 5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

33nC

25°C時的Td(開/關)

700ns/1.2µs

測試條件

480V, 10A, 1kOhm, 15V

反向恢復時間(trr)

37ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 30A

功率-最大

463W

開關能量

260µJ (on), 250µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

90nC

25°C時的Td(開/關)

13ns/55ns

測試條件

400V, 30A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 20A

功率-最大

167W

開關能量

209µJ (on), 261µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

115nC

25°C時的Td(開/關)

42.5ns/177ns

測試條件

400V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

90ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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