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NGD18N40CLBT4

NGD18N40CLBT4

僅供參考

型號 NGD18N40CLBT4
PNEDA編號 NGD18N40CLBT4
描述 IGBT 430V 15A 115W DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,742
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 19 - 四月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NGD18N40CLBT4資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NGD18N40CLBT4
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
NGD18N40CLBT4, NGD18N40CLBT4數據表 (總頁數: 8, 大小: 87.14 KB)
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NGD18N40CLBT4規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)430V
當前-集電極(Ic)(最大值)15A
電流-集電極脈沖(Icm)50A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.5V @ 4V, 15A
功率-最大115W
開關能量-
輸入類型Logic
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

16A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 4A

功率-最大

68W

開關能量

40µJ (on), 136µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

15.2nC

25°C時的Td(開/關)

12ns/86ns

測試條件

400V, 4A, 47Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

133ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

DPAK

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制造商

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系列

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

78A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.35V @ 15V, 30A

功率-最大

370W

開關能量

350µJ (on), 825µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

102nC

25°C時的Td(開/關)

46ns/185ns

測試條件

400V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

240A

電流-集電極脈沖(Icm)

360A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.05V @ 15V, 120A

功率-最大

750W

開關能量

5.75mJ (on), 3.43mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

240nC

25°C時的Td(開/關)

80ns/190ns

測試條件

400V, 120A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

130ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

24A

電流-集電極脈沖(Icm)

96A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 12A

功率-最大

104W

開關能量

380µJ (on), 900µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

48nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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