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NGTB60N60SWG

NGTB60N60SWG

僅供參考

型號 NGTB60N60SWG
PNEDA編號 NGTB60N60SWG
描述 IGBT 600V 120A 298W TO247
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $42.7085
100 ---------- $40.7065
250 ---------- $38.7046
500 ---------- $36.7026
750 ---------- $35.0343
1,000 ---------- $33.3660
庫存 1,664
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NGTB60N60SWG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NGTB60N60SWG
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
NGTB60N60SWG, NGTB60N60SWG數據表 (總頁數: 7, 大小: 95.33 KB)
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NGTB60N60SWG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)120A
電流-集電極脈沖(Icm)240A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.5V @ 15V, 60A
功率-最大298W
開關能量1.41mJ (on), 600µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用173nC
25°C時的Td(開/關)87ns/180ns
測試條件400V, 60A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)76ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247

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電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.6V @ 4V, 10A

功率-最大

250W

開關能量

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輸入類型

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門禁費用

32nC

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

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電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.05V @ 15V, 120A

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

240nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/160ns

測試條件

400V, 120A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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制造商

ON Semiconductor

系列

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1300V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

90A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 30A

功率-最大

500W

開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

78nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

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Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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