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NGTD14T65F2SWK

NGTD14T65F2SWK

僅供參考

型號 NGTD14T65F2SWK
PNEDA編號 NGTD14T65F2SWK
描述 IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,646
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 29 - 七月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NGTD14T65F2SWK資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NGTD14T65F2SWK
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
NGTD14T65F2SWK, NGTD14T65F2SWK數據表 (總頁數: 3, 大小: 87.51 KB)
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NGTD14T65F2SWK規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電流-集電極脈沖(Icm)120A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 35A
功率-最大-
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Die

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當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電流-集電極脈沖(Icm)

50A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 4V, 10A

功率-最大

107W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-/4µs

測試條件

300V, 6.5A, 1kOhm

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.5V @ 15V, 30A

功率-最大

300W

開關能量

3.47mJ (on), 2.16mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

87nC

25°C時的Td(開/關)

16ns/127ns

測試條件

960V, 30A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

100ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

13A

電流-集電極脈沖(Icm)

18A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.9V @ 15V, 3A

功率-最大

50W

開關能量

32µJ (on), 24µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

12nC

25°C時的Td(開/關)

6.7ns/46ns

測試條件

390V, 3A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

23ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

DPAK

制造商

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系列

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

156A

電流-集電極脈沖(Icm)

300A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 100A

功率-最大

520W

開關能量

2.4mJ (on), 5.5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

350nC

25°C時的Td(開/關)

60ns/200ns

測試條件

480V, 100A, 2.4Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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40A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 28A

功率-最大

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門禁費用

68nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/175ns

測試條件

480V, 28A, 10Ohm, 15V

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