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NJVMJD128T4G

NJVMJD128T4G

僅供參考

型號 NJVMJD128T4G
PNEDA編號 NJVMJD128T4G
描述 TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK-4
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,048
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 25 - 三月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NJVMJD128T4G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NJVMJD128T4G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
NJVMJD128T4G, NJVMJD128T4G數據表 (總頁數: 6, 大小: 86.98 KB)
PDFNJVMJD128T4G數據表 封面
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NJVMJD128T4G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)8A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)120V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic4V @ 80mA, 8A
當前-集電極截止(最大值)5mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 4A, 4V
功率-最大1.75W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

170 @ 150mA, 10V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

130 @ 150mA, 10V

功率-最大

1.2W

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工作溫度

150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

1μA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

32V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

420 @ 2mA, 5V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 150mA, 2V

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