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NJVMJD41CT4G-VF01

NJVMJD41CT4G-VF01

僅供參考

型號 NJVMJD41CT4G-VF01
PNEDA編號 NJVMJD41CT4G-VF01
描述 TRANS NPN 100V 6A DPAK-4
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 20,790
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 7 - 三月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NJVMJD41CT4G-VF01資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NJVMJD41CT4G-VF01
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
NJVMJD41CT4G-VF01, NJVMJD41CT4G-VF01數據表 (總頁數: 7, 大小: 84.04 KB)
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NJVMJD41CT4G-VF01規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)6A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 600mA, 6A
當前-集電極截止(最大值)50µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce15 @ 3A, 4V
功率-最大1.75W
頻率-過渡3MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 2mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 100mA, 2V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

400MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-723

供應商設備包裝

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制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 1V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

供應商設備包裝

SC-70

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 20mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 5V

功率-最大

350mW

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