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NJVMJD44H11RLG-VF01

NJVMJD44H11RLG-VF01

僅供參考

型號 NJVMJD44H11RLG-VF01
PNEDA編號 NJVMJD44H11RLG-VF01
描述 TRANS NPN 80V 8A DPAK-4
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,886
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NJVMJD44H11RLG-VF01資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NJVMJD44H11RLG-VF01
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
NJVMJD44H11RLG-VF01, NJVMJD44H11RLG-VF01數據表 (總頁數: 9, 大小: 91.46 KB)
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NJVMJD44H11RLG-VF01規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)8A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 400mA, 8A
當前-集電極截止(最大值)1μA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 4A, 1V
功率-最大1.75W
頻率-過渡85MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

200V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 3.2A, 16A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 8A, 4V

功率-最大

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 150mA, 2V

功率-最大

2W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 2V

功率-最大

12.5W

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

700V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 900mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

150µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

75W

頻率-過渡

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150°C (TJ)

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