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NM27C010VE120

NM27C010VE120

僅供參考

型號 NM27C010VE120
PNEDA編號 NM27C010VE120
描述 IC EPROM 1M PARALLEL 32PLCC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,236
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 12 - 三月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NM27C010VE120資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NM27C010VE120
類別半導體內存IC內存
數據表
NM27C010VE120, NM27C010VE120數據表 (總頁數: 10, 大小: 704.85 KB)
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NM27C010VE120規格

制造商ON Semiconductor
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EPROM
技術EPROM - OTP
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間120ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱32-LCC (J-Lead)
供應商設備包裝32-PLCC (14x11.46)

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內存類型

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內存格式

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技術

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

內存大小

1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (32M x 16)(LPDRAM)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

130-VFBGA

供應商設備包裝

130-VFBGA (8x9)

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Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

63-VFBGA

供應商設備包裝

63-BGA (11x9)

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Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

8-PDIP

AT27BV512-12RC

Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EPROM

技術

EPROM - OTP

內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

120ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)

供應商設備包裝

28-SOIC

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