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NM27LV010T250

NM27LV010T250

僅供參考

型號 NM27LV010T250
PNEDA編號 NM27LV010T250
描述 IC EPROM 1M PARALLEL 32TSOP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,148
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NM27LV010T250資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NM27LV010T250
類別半導體內存IC內存
數據表
NM27LV010T250, NM27LV010T250數據表 (總頁數: 10, 大小: 100.82 KB)
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NM27LV010T250規格

制造商ON Semiconductor
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EPROM
技術EPROM - OTP
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間250ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝32-TSOP

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內存格式

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內存大小

128Kb (8K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

2.4V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

36-TFBGA

供應商設備包裝

36-TFBGA (6x8)

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SDRAM

內存大小

64Mb (2M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

4.8ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

86-TSOP II

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

96ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

24-VBGA

供應商設備包裝

24-FBGA (6x8)

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

64-TQFP (14x14)

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