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NM93C56LZN

NM93C56LZN

僅供參考

型號 NM93C56LZN
PNEDA編號 NM93C56LZN
描述 IC EEPROM 2K SPI 250KHZ 8DIP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,484
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NM93C56LZN資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NM93C56LZN
類別半導體內存IC內存
數據表
NM93C56LZN, NM93C56LZN數據表 (總頁數: 13, 大小: 107.67 KB)
PDFNM93C56M8數據表 封面
NM93C56M8數據表 頁面 2 NM93C56M8數據表 頁面 3 NM93C56M8數據表 頁面 4 NM93C56M8數據表 頁面 5 NM93C56M8數據表 頁面 6 NM93C56M8數據表 頁面 7 NM93C56M8數據表 頁面 8 NM93C56M8數據表 頁面 9 NM93C56M8數據表 頁面 10 NM93C56M8數據表 頁面 11

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NM93C56LZN規格

制造商ON Semiconductor
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小2Kb (128 x 16)
內存接口SPI
時鐘頻率250kHz
寫周期-字,頁15ms
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱8-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝8-DIP

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

9Mb (256K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

150MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.8ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

2.6ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-TBGA

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

576Kb (64K x 9)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

100-TQFP (14x14)

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

16Mb (1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

2.4V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

FLASH - NOR

內存大小

512Mb (128M x 4)

內存接口

SPI

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

8ms, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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