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NM93C66M8

NM93C66M8

僅供參考

型號 NM93C66M8
PNEDA編號 NM93C66M8
描述 IC EEPROM 4K SPI 1MHZ 8SO
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,616
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NM93C66M8資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NM93C66M8
類別半導體內存IC內存
數據表
NM93C66M8, NM93C66M8數據表 (總頁數: 13, 大小: 107.52 KB)
PDFNM93C66M8數據表 封面
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NM93C66M8規格

制造商ON Semiconductor
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小4Kb (256 x 16)
內存接口SPI
時鐘頻率1MHz
寫周期-字,頁10ms
訪問時間-
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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內存格式

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技術

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內存大小

24Gb (768M x 32)

內存接口

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時鐘頻率

1866MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

1.1V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

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包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

576Kb (16K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

128Kb (16K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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